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名 称：安徽省思达新材料科技有限公司
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- 我公司生产的99.99%以上的高纯硒，已应用在CuInGaSSe太阳能电池材料；同时广泛应用在电子材料上，如硒半导体、硒整流器、激光打印机用硒鼓等方面。 CIGSSe薄膜太阳能电池中的薄膜主要有5种材料合成，其中高纯硒的含量在90%以上。 CIGSSe薄膜太阳能电池原材料避开了紧缺的晶体硅，它的薄膜厚度只有2微米（晶体硅电池200微米），材料消耗很少。CIGSSe薄膜材料电池对可见光的吸收系数是其他薄膜电池中*高的，从而成为转换效率*高的薄膜电池，它的材料成本只有晶体硅电池的一半，而能耗不到晶体硅电池的三分之一。 在规模化生产的太阳能电池中，CIGSSe薄膜太阳电池的同功率组件发电量是*高的，也就是能量回收期*短。它的回收期只有一年，非晶硅太阳电池1年半，晶体硅是2年以上。CIGSSe薄膜太阳电池能适应高宇宙射线辐射，特殊气象条件等恶劣环境，长期稳定性是各种电池中******的。CIGSSe薄膜太阳能电池使用过程中热斑效应小，在阴天、太阳初升或西斜等小角度入射等情况下仍然具有良好的发电性能，而晶体硅电池在弱光或光线小角度入射情况下发电能力急剧下降。
思达牌99.999%硒锭 思达牌99.999%硒粒 
思达牌99.999%硒粉 思达牌99.99%硒粉 高纯硒(99.99%～99.999%)
（1）用于远红外玻璃、光学镜片等领域：
a.杂质含量（不大于100ppm）：
b、目数：200目Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 1 2 2 0.5 0.5 2 2 5 3 10 5 0.5 Mn Fe S Sn As CL、Br 5 9 10 5 20 1 0
c、包装：真空封装。
（2）用于化合物半导体材料、太阳能光伏电池等领域 ：
a、杂质含量（不大于50ppm）：
b、目数：200目～325目。Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 0.06 0.1 0.06 0.2 0.2 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5 Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br 0.2 1 2 1 0.3 0.005 0.2 0.3 3 1 0.5 0.5
c、包装：真空封装。
（3）用于电子材料等领域：
a、杂质含量（不大于10ppm）：
b、目数：325目～1000目。Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni 0.05 0.1 0.06 0.2 0.14 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5 Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br 0.2 1 2 0.5 0.3 0.005 0.2 0.3 0.3 1 0.5 0.5
c、包装：真空封装。
